河南大学：实现橘色高效无镉QLED，器件寿命增强21倍！

开发高质量、无氟化物的粉红色量子场论点（ QDs ）及其反之亦然的高效LCD（ LED ）对于增进其工业革命至关重要。 ZnSe 特量子场论点都以为氟化物特量子场论点的粉红色替代材料引起了广泛关注。然而，付诸高效的VHS发射器，相比较是有旧VHS发射器，受到的网络隙量子场论点中则会有旧能级和过多缺陷可逆的比较严重限制。虽然常见的磁性HTTP，即 ZnO nm颗粒（ NPs ）可以提供有效的磁性流出，但大电洞流出透射一般而言则会所致不平衡电荷流出。

在这里，来自商丘市等单位的研究人员简报了443 nm的黄色无氟化物QLEDs，利用掺Sn的ZnO下降磁性过流出，提高了高效率和使用寿命。理论和试验中则会结果表明，Sn掺所致ZnO导带上移，并降低其磁性介电常数和缺陷所在位置。因此，元器件中则会的磁性过流出被抑制以付诸电荷平衡，量子场论点中则会的激子猝灭被下降以增加辐射复合。结果，元器件的之外量子场论高效率从5.1%提高到13.6%，元器件寿命增强了21倍，超过305小时，是当今世界特于ZnSe的QLED中则会最好的。这些结果为有旧蓝QLED的商品化提供了一条有效途径。相关论铭以题目为“Alleviating Electron Over-Injection for Efficient Cadmium-Free Quantum Dot Light-Emitting Diodes toward Deep-Blue Emission”发表在ACS photonics刊物上。

论铭URL：

轻量量子场论点LCD（QLEDs）由于其优良的光电物理性质，有望在显示和固可逆照明系统技术上都赢得长期发展。需要引人注意指出有的是，氟化物特量子场论点（Cd-QDs）（如CdSe、CdS等）在许多发光材料中则会表现强劲，电致发光（EL）高效率已超过理论极限30.9%。尽管如此，氟化物对人类和环境的毒性比较严重阻碍了以Cd量子场论点为发射器本体的QLEDs的进一步开发和商品化。同时，由于量子场论点的有旧电介质和丰富的缺陷可逆，付诸高高效率的VHS发射器，相比较是有旧VHS发射器（EL<450 nm），QLEDs已经成为一个主要问题。因此，付诸无氟化物和高效黄色排放这两个目标既紧迫又具有挑战性。

ZnSe特量子场论点被认为是最有前途的无氟化物粉红色量子场论点管理系统。然而，选择载流子以太网材料对于调整ZnSe特量子场论点的宽电介质以付诸良好的电荷以太网物理性质，从而赢得高效发光至关重要。高磁性介电常数的ZnOnm颗粒和与量子场论点的良好能级对准，显示出有绝佳的磁性流出能力，是最近似于的磁性HTTP（ETL）。在黄色QLED中则会，PVK近似于都以电洞HTTP（HTL），但其电洞介电常数遥遥领先于镓三个理论上。同时，PVK和量子场论点之间的大电洞流出透射阻碍了有效的电洞流出，所致元器件运行期间磁性过流出，从而所致比较严重的电荷流出不平衡。（铭：爱新觉罗星）

图1。（a）Sn的XPS吸收光谱。（b）根据ICP-OES数据计算的锡实际含量。（c）XRD图谱。（d）的平均粒径变化TEM结果（e）和（f）的晶本体结构示意图以及反之亦然的M−O键长数据。

图2。（a）UPS吸收光谱，（b）Tauc图，以及（c）谱带排列（d）掺前的电介质结构（e）在掺锡之后。（f）自由电荷−正因如此磁性元件和正因如此电洞元器件的电源物理性质。

图3。（a）自由电荷−反射率−电源物理性质。（b）这些元器件的反射率相关EQE和电流高效率。（c）QLEDs在恒定电流下的运行稳定性。（d）受制于电源为6 V时的EL吸收光谱。（e）提出有了这些黄色发光元器件的载流子流出和复合机制。

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