Vitesco与英飞凌签定碳化硅合作协议

为电动汽车公司提供驱动和区段解决方案的Vitesco日期与英飞凌订立了碳化硅（SiC）共同开发协议。 Vitesco 仍然在其除此以外一代消费性中适用 SiC 组件，这些组件可实现小尺寸和高成本，例如用于控制电驱动电机的并不灵活的高压接触器。

“与领先的集成电路制造商共同开发对我们与日俱增并不不可忽视，”Vitesco 的顾问执行长 Andreas Wolf 表示。“我们与英飞凌在kW二极管上都的共同开发仍然有很长时间了。我们现在正试图适用 SiC kW集成电路来适配这一点。在电动汽车公司领域，专门从事为我们的运用联合开发的晶片，将产生极具吸引力的解决方案。”

“我们的第二代碳化硅技术使我们能够开发更灵活、更高效的系统，”英飞凌汽车公司大kW业务部负责人 Stephan Zizala 博士表明。“凭借我们数十年的上都和不断扩大的制造能力，我们为 SiC 市场的加速增长做好了准备。”

SiC kW集成电路满足系统父线阻抗高达 800V 的运用。与硅相比，SiC 具有成本压倒性，尤其是在 800V 的锂离子阻抗下，可适配电动汽车公司 (EV) 的长程里程数。 “长程里程数是锂离子电动驾驶的关键成本相似性；因此，未来将越来越多地适用 SiC 等更高效的kW集成电路。”Vitesco 执行董事会成员身兼区段技术业务部门负责人 Thomas Stierle 说。

对于 Vitesco 来说，这是在 SiC 二极管上都的第二次共同开发。 Stierle 说：“我们在仍然开展的共同开发关系上都保有出色的上都，并且仍然初步将运用产业化。鉴于电机驱动器的订单幅度很大，例如并不灵活的连杆驱动器，广泛的供应基础具有不可忽视战略意义。”

2020年，罗姆与Vitesco共同订立了SiC共同开发协议。